聚焦新興消費新趨勢
下載APP
三星計劃明年生產第9代V-NAND閃存，沿用雙層堆棧架構
2023-08-18
7241
字體：
小
中
大
據(jù)臺媒報道，三星電子計劃明年生產第9代V-NAND閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過300層。報道稱，這將使三星的進度超過SK海力士，后者計劃2025年上半年量產三層堆棧架構的321層NAND閃存。（財聯(lián)社）
責任編輯：
肖曉晨
THE END
消費界所刊載信息，來源于網絡，并不代表本媒體觀點。本文所涉及的信息、數(shù)據(jù)和分析均來自公開渠道，如有任何不實之處、涉及版權問題，請發(fā)送郵件：Jubao_404@163.com，我們會及時處理。本文僅供讀者參考，任何人不得將本文用于非法用途，由此產生的法律后果由使用者自負。投訴舉報郵箱：
相關資訊
未經書面授權不得復制或建立鏡像，違者必究。
Copyright © 2012 -2023 CONSUMER TIMES. All Rights Reserved.
深圳市贏銷網絡科技有限公司版權所有
粵ICP備14076428號
粵公網安備 44030702005336號