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臺(tái)積電2納米制程技術(shù)細(xì)節(jié)出爐：性能躍升15%、功耗降低30%，晶圓價(jià)格上漲
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IT之家12月17日消息，在于舊金山舉行的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電公布了其備受矚目的 2 納米（N2）制程技術(shù)的更多細(xì)節(jié)，展示了該技術(shù)在性能、功耗和晶體管密度方面的顯著進(jìn)步。
IT之家注意到，臺(tái)積電在會(huì)上重點(diǎn)介紹了其 2 納米“納米片（nanosheets）”技術(shù)。據(jù)介紹，相較于前代制程，N2 制程在性能上提升了 15%，功耗降低了高達(dá) 30%，能效顯著提升。此外，得益于環(huán)繞式柵極（GAA）納米片晶體管和 N2 NanoFlex 技術(shù)的應(yīng)用，晶體管密度也提高了 1.15 倍。N2 NanoFlex 技術(shù)允許制造商在最小的面積內(nèi)集成不同的邏輯單元，進(jìn)一步優(yōu)化了制程的性能。
通過(guò)從傳統(tǒng)的 FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)過(guò)渡到專用的 N2“納米片”技術(shù)，臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)了對(duì)電流更有效的控制，使得制造商能夠根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景微調(diào)參數(shù)。納米片技術(shù)采用堆疊的窄硅帶結(jié)構(gòu)，每條硅帶都被柵極包圍，相比 FinFET 技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)更精確的電流控制。
與 3 納米及其衍生制程相比，臺(tái)積電的 N2 制程在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著的提升。鑒于其明顯的代際改進(jìn)，預(yù)計(jì)包括蘋(píng)果和英偉達(dá)在內(nèi)的行業(yè)巨頭將大規(guī)模采用該制程。然而，伴隨性能提升的，是晶圓價(jià)格的上漲。據(jù)悉，N2 制程晶圓的價(jià)格將比 3 納米制程高出 10% 以上。
據(jù)估計(jì)，一片 N2 晶圓的價(jià)格可能在 2.5 萬(wàn)至 3 萬(wàn)美元之間，具體價(jià)格將取決于臺(tái)積電的最終定價(jià)。相比之下，3 納米晶圓的價(jià)格約為 2 萬(wàn)美元?？紤]到初期良率和試生產(chǎn)等因素，N2 制程的初期產(chǎn)量將受到限制，意味著其普及速度在初期可能會(huì)相對(duì)緩慢。
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